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進(jìn)相器可控硅晶閘管損壞識(shí)別

發(fā)布時(shí)間：2017-05-10

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　　襄陽(yáng)源創(chuàng)電氣有限公司小王告訴我們：當(dāng)進(jìn)相器的晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開(kāi)芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，判斷是何原因。下面介紹幾種常見(jiàn)現(xiàn)象:

　　1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。

　　2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。

　　3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

　　4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。

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